Корзина

Корзина

Войти в интернет магазин

транзисторные модули MOSFET

транзисторные модули MOSFET

GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Дискретные полупроводниковые модули » транзисторные модули MOSFET


Модуль транзистор/транзистор 1кВ 33А SP6C Топология Н мост

Verfügbarkeit Nur auf Bestellung
Штрихкод:
Код товара: TMEAPTM100H18FG
Упаковка:
Mindestabnahme: 4
Производитель: MICROCHIP (MICROSEMI)

€424.8 (Цена с НДС)
€351.1 Цена без НДС

Wählen Sie das Transport (Цена вкл. транспортировку)

Оптовые цены

Количество 4+ ks Более
Цена/шт. €351.11 Цена по запросу

Количество

Mindestabnahme: 4


Стоимость доставки

Описание товара

Модуль транзистор/транзистор 1кВ 33А SP6C Топология Н мост - Описание товара

ПроизводительMICROCHIP (MICROSEMI)
Тип модуляполевой МОП-транзистор
Конструкция диодатранзистор/транзистор
Напряжение сток-исток1кВ
Ток стока33А
КорпусSP6C
ТопологияН мост
Электрический монтажвинтами
Электрический монтажконнекторы FASTON
Сопротивление в открытом состоянии210мОм
Ток стока в импульсном режиме172А
Рассеиваемая мощность780Вт
ТехнологияFREDFET
ТехнологияPOWER MOS 7®
Напряжение затвор-исток±30В
Механический монтажвинтами