Inhalt Warenkorb

Inhalt Warenkorb

Einloggen in Shop

MOSFET-Transistormodule

MOSFET-Transistormodule

GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule


Modul einzelner Transistor 600V 50A SOT227B Ugs ±20V 560W

Strichcode:
Code: TMEIXKN75N60C
Packen:
Mindestabnahme: 1
Verfügbarkeit Nur auf Bestellung
Hersteller: IXYS

Menge

Menge 3+ ks 5+ ks Mehr
Einzelpreis €68.45 €67.5 Fragen Sie nach Preis

Versandkosten


€70.5 Preis ohne Mehrwertsteuer

Wählen Sie das Transport (Preis inkl. transportieren)

Modul einzelner Transistor 600V 50A SOT227B Ugs ±20V 560W - Produkt beschreibung

HerstellerIXYS
Modul-TypBipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiterseinzelner Transistor
Drain-Source Spannung600V
Drainstrom50A
GehäuseSOT227B
Elektrische Montageschraubbar
Polarisierungunipolar
Widerstand im Leitungszustand36mΩ
Drainstrom im Impuls250A
Verlustleistung560W
TechnologieCoolMOS™
Kanal-Artstark
Gate-Ladung500nC
Bereitschaftszeit580ns
Gate-Source Spannung±20V
Mechanische Montageschraubbar