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IGBT-Transistoren

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Transistor IGBT 1,2kV 35A 230W TO3PN

Einheiten auf Lager i 75 Menge
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Code: TMEGT40QR21
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Mindestabnahme: 1
Hersteller: TOSHIBA

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Produkt beschreibung

Transistor IGBT 1,2kV 35A 230W TO3PN - Produkt beschreibung

HerstellerTOSHIBA
Transistor-TypIGBT
Kollektor-Emitter-Spannung1.2kV
Kollektor-Emitter-Strom35A
Verlustleistung230W
GehäuseTO3PN
Gate - Emitter Spannung±25V
Kollektorstrom im Impuls80A
MontageTHT
Verpackungs-ArtTube
Anschaltzeit300ns
Ausschaltzeit600ns
Eigenschaften von Halbleiterelementenintegrated anti-parallel diode