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IGBT-Transistoren

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Transistor IGBT 1,2kV 50A 535W MAX247

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Code: TMESTGYA50H120DF2
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Hersteller: STMicroelectronics

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Transistor IGBT 1,2kV 50A 535W MAX247 - Produkt beschreibung

HerstellerSTMicroelectronics
Transistor-TypIGBT
Kollektor-Emitter-Spannung1.2kV
Kollektor-Emitter-Strom50A
Verlustleistung535W
GehäuseMAX247
Gate - Emitter Spannung±20V
Kollektorstrom im Impuls200A
MontageTHT
Gate-Ladung210nC
Verpackungs-ArtTube
Eigenschaften von Halbleiterelementenintegrated anti-parallel diode