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IGBT-Transistoren

IGBT-Transistoren

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Transistor IGBT 600V 10A 150W DPAK einzelner Transistor

Verfügbarkeit Verkauf abgeschlossen
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Code: TMEAIHD10N60RFATMA1
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Mindestabnahme: 2500
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES

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Produkt beschreibung

Transistor IGBT 600V 10A 150W DPAK einzelner Transistor - Produkt beschreibung

HerstellerINFINEON TECHNOLOGIES
Transistor-TypIGBT
TechnologieTRENCHSTOP™
Kollektor-Emitter-Spannung600V
Kollektor-Emitter-Strom10A
Verlustleistung150W
GehäuseDPAK
Gate - Emitter Spannung±20V
Kollektorstrom im Impuls30A
MontageSMD
Gate-Ladung64nC
Verpackungs-ArtBand
Verpackungs-ArtRolle
Anschaltzeit27ns
Ausschaltzeit186ns
Struktur des Halbleiterseinzelner Transistor
Eigenschaften von Halbleiterelementenreverse conducting IGBT (RC-IGBT)