GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Transistoren » IGBT-Transistoren
| Verfügbarkeit | Verkauf abgeschlossen |
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| Strichcode: | |
| Code: | TMEFGAF40N60UFDTU |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 1 |
| Hersteller: | ONSEMI |
Transistor IGBT 600V 20A 40W TO3PF - Produkt beschreibung
| Hersteller | ONSEMI |
|---|---|
| Transistor-Typ | IGBT |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600V |
| Kollektor-Emitter-Strom | 20A |
| Verlustleistung | 40W |
| Gehäuse | TO3PF |
| Gate - Emitter Spannung | ±20V |
| Kollektorstrom im Impuls | 160A |
| Montage | THT |
| Gate-Ladung | 150nC |
| Verpackungs-Art | Tube |
| Eigenschaften von Halbleiterelementen | integrated anti-parallel diode |