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IGBT-Transistoren

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Transistor IGBT 600V 30A 258W D2PAK

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Code: TMESTGB30V60DF
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Hersteller: STMicroelectronics

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Produkt beschreibung

Transistor IGBT 600V 30A 258W D2PAK - Produkt beschreibung

HerstellerSTMicroelectronics
Transistor-TypIGBT
Kollektor-Emitter-Spannung600V
Kollektor-Emitter-Strom30A
Verlustleistung258W
GehäuseD2PAK
Gate - Emitter Spannung±20V
Kollektorstrom im Impuls120A
MontageSMD
Gate-Ladung163nC
Verpackungs-ArtBand
Verpackungs-ArtRolle
Eigenschaften von Halbleiterelementenintegrated anti-parallel diode