GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Transistoren » IGBT-Transistoren
| Einheiten auf Lager i | 86 Menge |
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| Strichcode: | |
| Code: | TMEGT50JR22 |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 1 |
| Hersteller: | TOSHIBA |
Transistor IGBT 600V 44A 115W TO3PN - Produkt beschreibung
| Hersteller | TOSHIBA |
|---|---|
| Transistor-Typ | IGBT |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600V |
| Kollektor-Emitter-Strom | 44A |
| Verlustleistung | 115W |
| Gehäuse | TO3PN |
| Gate - Emitter Spannung | ±25V |
| Kollektorstrom im Impuls | 100A |
| Montage | THT |
| Verpackungs-Art | Tube |
| Anschaltzeit | 250ns |
| Ausschaltzeit | 330ns |
| Eigenschaften von Halbleiterelementen | integrated anti-parallel diode |