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IGBT-Transistoren

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Transistor IGBT 600V 44A 115W TO3PN

Einheiten auf Lager i 86 Menge
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Code: TMEGT50JR22
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Hersteller: TOSHIBA

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Produkt beschreibung

Transistor IGBT 600V 44A 115W TO3PN - Produkt beschreibung

HerstellerTOSHIBA
Transistor-TypIGBT
Kollektor-Emitter-Spannung600V
Kollektor-Emitter-Strom44A
Verlustleistung115W
GehäuseTO3PN
Gate - Emitter Spannung±25V
Kollektorstrom im Impuls100A
MontageTHT
Verpackungs-ArtTube
Anschaltzeit250ns
Ausschaltzeit330ns
Eigenschaften von Halbleiterelementenintegrated anti-parallel diode