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IGBT-Transistoren

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Transistor IGBT 600V 49A 230W TO3PN

Einheiten auf Lager i 83 Menge
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Code: TMEGT50JR21
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Hersteller: TOSHIBA

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Produkt beschreibung

Transistor IGBT 600V 49A 230W TO3PN - Produkt beschreibung

HerstellerTOSHIBA
Transistor-TypIGBT
Kollektor-Emitter-Spannung600V
Kollektor-Emitter-Strom49A
Verlustleistung230W
GehäuseTO3PN
Gate - Emitter Spannung±25V
Kollektorstrom im Impuls100A
MontageTHT
Verpackungs-ArtTube
Anschaltzeit430ns
Ausschaltzeit720ns
Eigenschaften von Halbleiterelementenintegrated anti-parallel diode