GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Transistoren » IGBT-Transistoren
| Einheiten auf Lager i | 83 Menge |
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| Strichcode: | |
| Code: | TMEGT50JR21 |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 1 |
| Hersteller: | TOSHIBA |
Transistor IGBT 600V 49A 230W TO3PN - Produkt beschreibung
| Hersteller | TOSHIBA |
|---|---|
| Transistor-Typ | IGBT |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600V |
| Kollektor-Emitter-Strom | 49A |
| Verlustleistung | 230W |
| Gehäuse | TO3PN |
| Gate - Emitter Spannung | ±25V |
| Kollektorstrom im Impuls | 100A |
| Montage | THT |
| Verpackungs-Art | Tube |
| Anschaltzeit | 430ns |
| Ausschaltzeit | 720ns |
| Eigenschaften von Halbleiterelementen | integrated anti-parallel diode |