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IGBT-Transistoren

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Transistor IGBT 600V 5A 21,7W TO252 EAus 0,04mJ EEin 0,14mJ

Einheiten auf Lager i 4555 Menge
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Code: TMEAOD5B60D
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Mindestabnahme: 1
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

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Produkt beschreibung

Transistor IGBT 600V 5A 21,7W TO252 EAus 0,04mJ EEin 0,14mJ - Produkt beschreibung

HerstellerALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Transistor-TypIGBT
Kollektor-Emitter-Spannung600V
Kollektor-Emitter-Strom5A
Verlustleistung21.7W
GehäuseTO252
Gate - Emitter Spannung±20V
Kollektorstrom im Impuls20A
MontageSMD
Gate-Ladung9.4nC
Verpackungs-ArtBand
Verpackungs-ArtRolle
Anschaltzeit27ns
Ausschaltzeit124ns
Sättigungsspannung Kol.-Emitt.1.55V
Ausschaltenergie0.04mJ
Einschaltenergie0.14mJ