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IGBT-Transistoren

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Transistor IGBT 650V 40A 105W TO247 EAus 0,54mJ EEin 1,17mJ

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Code: TMEAOK40B65H2AL
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

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Produkt beschreibung

Transistor IGBT 650V 40A 105W TO247 EAus 0,54mJ EEin 1,17mJ - Produkt beschreibung

HerstellerALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Transistor-TypIGBT
Kollektor-Emitter-Spannung650V
Kollektor-Emitter-Strom40A
Verlustleistung105W
GehäuseTO247
Gate - Emitter Spannung±30V
Kollektorstrom im Impuls120A
MontageTHT
Gate-Ladung61nC
Verpackungs-ArtTube
Anschaltzeit64ns
Ausschaltzeit152ns
Sättigungsspannung Kol.-Emitt.2.05V
Ausschaltenergie0.54mJ
Einschaltenergie1.17mJ