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IGBT-Transistoren

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Transistor IGBT 650V 50A 250W TO247 EAus 1,03mJ EEin 2,09mJ

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Code: TMEAOK50B65M2
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Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

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Produkt beschreibung

Transistor IGBT 650V 50A 250W TO247 EAus 1,03mJ EEin 2,09mJ - Produkt beschreibung

HerstellerALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Transistor-TypIGBT
Kollektor-Emitter-Spannung650V
Kollektor-Emitter-Strom50A
Verlustleistung250W
GehäuseTO247
Gate - Emitter Spannung±30V
Kollektorstrom im Impuls150A
MontageTHT
Gate-Ladung102nC
Verpackungs-ArtTube
Anschaltzeit114ns
Ausschaltzeit268ns
Sättigungsspannung Kol.-Emitt.1.72V
Ausschaltenergie1.03mJ
Einschaltenergie2.09mJ