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IGBT-Transistoren

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Transistor IGBT 650V 60A 300W TO3PN

Einheiten auf Lager i 80 Menge
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Code: TMEFGA60N65SMD
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Hersteller: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR

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Produkt beschreibung

Transistor IGBT 650V 60A 300W TO3PN - Produkt beschreibung

HerstellerONSEMI
Transistor-TypIGBT
Kollektor-Emitter-Spannung650V
Kollektor-Emitter-Strom60A
Verlustleistung300W
GehäuseTO3PN
Gate - Emitter Spannung±20V
Kollektorstrom im Impuls180A
MontageTHT
Gate-Ladung284nC
Verpackungs-ArtTube
Eigenschaften von Halbleiterelementenintegrated anti-parallel diode