GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Transistoren » IGBT-Transistoren
| Verfügbarkeit | Nur auf Bestellung |
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| Strichcode: | |
| Code: | TMEAPT35GA90B |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 1 |
| Hersteller: | MICROSEMI |
Transistor IGBT 900V 35A 290W TO247-3 - Produkt beschreibung
| Transistor-Typ | IGBT |
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| Technologie | POWER MOS 8® |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 900V |
| Kollektor-Emitter-Strom | 35A |
| Leistung | 290W |
| Gehäuse | TO247-3 |
| Gate - Emitter Spannung | ±30V |
| Kollektorstrom im Impuls | 105A |
| Montage | THT |
| Gate-Ladung | 84nC |
| Verpackungs-Art | Tube |
| Anschaltzeit | 25ns |
| Ausschaltzeit | 298ns |
| Hersteller | MICROSEMI |