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IGBT-Transistoren

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Transistor IGBT 900V 35A 290W TO247-3

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Code: TMEAPT35GA90B
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Hersteller: MICROSEMI

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Produkt beschreibung

Transistor IGBT 900V 35A 290W TO247-3 - Produkt beschreibung

Transistor-TypIGBT
TechnologiePOWER MOS 8®
Kollektor-Emitter-Spannung900V
Kollektor-Emitter-Strom35A
Leistung290W
GehäuseTO247-3
Gate - Emitter Spannung±30V
Kollektorstrom im Impuls105A
MontageTHT
Gate-Ladung84nC
Verpackungs-ArtTube
Anschaltzeit25ns
Ausschaltzeit298ns
HerstellerMICROSEMI