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IGBT-Transistoren

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Transistor IGBT BiMOSFET™ 1,7kV 10A 140W TO268

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Code: TMEIXBT10N170
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Mindestabnahme: 1
Hersteller: IXYS

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Produkt beschreibung

Transistor IGBT BiMOSFET™ 1,7kV 10A 140W TO268 - Produkt beschreibung

HerstellerIXYS
Transistor-TypIGBT
TechnologieBiMOSFET™
Kollektor-Emitter-Spannung1.7kV
Kollektor-Emitter-Strom10A
Verlustleistung140W
GehäuseTO268
Gate - Emitter Spannung±20V
Kollektorstrom im Impuls40A
MontageSMD
Gate-Ladung30nC
Verpackungs-ArtTube
Anschaltzeit63ns
Ausschaltzeit1.8µs
Eigenschaften von HalbleiterelementenHochspannung