GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Transistoren » IGBT-Transistoren
| Einheiten auf Lager i | 18 Menge |
|---|---|
| Strichcode: | |
| Code: | TMEIXBT16N170AHV |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 1 |
| Hersteller: | IXYS |
Transistor IGBT BiMOSFET™ 1,7kV 10A 150W TO268HV - Produkt beschreibung
| Hersteller | IXYS |
|---|---|
| Transistor-Typ | IGBT |
| Technologie | BiMOSFET™ |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1.7kV |
| Kollektor-Emitter-Strom | 10A |
| Verlustleistung | 150W |
| Gehäuse | TO268HV |
| Gate - Emitter Spannung | ±20V |
| Kollektorstrom im Impuls | 40A |
| Montage | SMD |
| Gate-Ladung | 65nC |
| Verpackungs-Art | Tube |
| Anschaltzeit | 43ns |
| Ausschaltzeit | 370ns |
| Eigenschaften von Halbleiterelementen | Hochspannung |