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IGBT-Transistoren

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Transistor IGBT BiMOSFET™ 2,5kV 25A 300W PLUS247™

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Code: TMEIXBX25N250
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Hersteller: IXYS

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Produkt beschreibung

Transistor IGBT BiMOSFET™ 2,5kV 25A 300W PLUS247™ - Produkt beschreibung

HerstellerIXYS
Transistor-TypIGBT
TechnologieBiMOSFET™
Kollektor-Emitter-Spannung2.5kV
Kollektor-Emitter-Strom25A
Verlustleistung300W
GehäusePLUS247™
Gate - Emitter Spannung±20V
Kollektorstrom im Impuls180A
MontageTHT
Gate-Ladung103nC
Verpackungs-ArtTube
Anschaltzeit694ns
Ausschaltzeit650ns
Eigenschaften von HalbleiterelementenHochspannung