GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Transistoren » IGBT-Transistoren
| Verfügbarkeit | Verkauf abgeschlossen |
|---|---|
| Strichcode: | |
| Code: | TMEIXBX50N360HV |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 1 |
| Hersteller: | IXYS |
Transistor IGBT BiMOSFET™ 3,6kV 50A 660W TO247HV - Produkt beschreibung
| Hersteller | IXYS |
|---|---|
| Transistor-Typ | IGBT |
| Technologie | BiMOSFET™ |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 3.6kV |
| Kollektor-Emitter-Strom | 50A |
| Verlustleistung | 660W |
| Gehäuse | TO247HV |
| Gate - Emitter Spannung | ±20V |
| Kollektorstrom im Impuls | 420A |
| Montage | THT |
| Gate-Ladung | 210nC |
| Verpackungs-Art | Tube |
| Anschaltzeit | 889ns |
| Ausschaltzeit | 1.88µs |
| Eigenschaften von Halbleiterelementen | Hochspannung |