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IGBT-Transistoren

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Transistor IGBT BiMOSFET™ 3,6kV 50A 660W TO247HV

Verfügbarkeit Verkauf abgeschlossen
Strichcode:
Code: TMEIXBX50N360HV
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Mindestabnahme: 1
Hersteller: IXYS

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Produkt beschreibung

Transistor IGBT BiMOSFET™ 3,6kV 50A 660W TO247HV - Produkt beschreibung

HerstellerIXYS
Transistor-TypIGBT
TechnologieBiMOSFET™
Kollektor-Emitter-Spannung3.6kV
Kollektor-Emitter-Strom50A
Verlustleistung660W
GehäuseTO247HV
Gate - Emitter Spannung±20V
Kollektorstrom im Impuls420A
MontageTHT
Gate-Ladung210nC
Verpackungs-ArtTube
Anschaltzeit889ns
Ausschaltzeit1.88µs
Eigenschaften von HalbleiterelementenHochspannung