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IGBT-Transistoren

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Transistor IGBT GenX3™ 1,2kV 120A 830W TO264

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Code: TMEIXGK120N120B3
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Hersteller: IXYS

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Produkt beschreibung

Transistor IGBT GenX3™ 1,2kV 120A 830W TO264 - Produkt beschreibung

HerstellerIXYS
Transistor-TypIGBT
TechnologieGenX3™
TechnologiePT
Kollektor-Emitter-Spannung1.2kV
Kollektor-Emitter-Strom120A
Verlustleistung830W
GehäuseTO264
Gate - Emitter Spannung±20V
Kollektorstrom im Impuls370A
MontageTHT
Gate-Ladung470nC
Verpackungs-ArtTube
Anschaltzeit122ns
Ausschaltzeit885ns