GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Transistoren » IGBT-Transistoren
| Einheiten auf Lager i | 125 Menge |
|---|---|
| Strichcode: | |
| Code: | TMEIXYA20N65C3D1 |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 1 |
| Hersteller: | IXYS |
Transistor IGBT GenX3™ 650V 20A 200W TO263 - Produkt beschreibung
| Hersteller | IXYS |
|---|---|
| Transistor-Typ | IGBT |
| Technologie | GenX3™ |
| Technologie | Planar |
| Technologie | XPT™ |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650V |
| Kollektor-Emitter-Strom | 20A |
| Verlustleistung | 200W |
| Gehäuse | TO263 |
| Gate - Emitter Spannung | ±20V |
| Kollektorstrom im Impuls | 105A |
| Montage | SMD |
| Gate-Ladung | 30nC |
| Verpackungs-Art | Tube |
| Anschaltzeit | 51ns |
| Ausschaltzeit | 132ns |