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IGBT-Transistoren

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Transistor IGBT GenX3™ 650V 30A 270W TO268HV

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Strichcode:
Code: TMEIXYT30N65C3H1HV
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Hersteller: IXYS

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Produkt beschreibung

Transistor IGBT GenX3™ 650V 30A 270W TO268HV - Produkt beschreibung

HerstellerIXYS
Transistor-TypIGBT
TechnologieGenX3™
TechnologiePlanar
TechnologieSonic FRD™
TechnologieXPT™
Kollektor-Emitter-Spannung650V
Kollektor-Emitter-Strom30A
Verlustleistung270W
GehäuseTO268HV
Gate - Emitter Spannung±20V
Kollektorstrom im Impuls118A
MontageSMD
Gate-Ladung44nC
Verpackungs-ArtTube
Anschaltzeit59ns
Ausschaltzeit120ns