GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Transistoren » IGBT-Transistoren
| Verfügbarkeit | Nur auf Bestellung |
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| Strichcode: | |
| Code: | TMEIXYT30N65C3H1HV |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 1 |
| Hersteller: | IXYS |
Transistor IGBT GenX3™ 650V 30A 270W TO268HV - Produkt beschreibung
| Hersteller | IXYS |
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| Transistor-Typ | IGBT |
| Technologie | GenX3™ |
| Technologie | Planar |
| Technologie | Sonic FRD™ |
| Technologie | XPT™ |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650V |
| Kollektor-Emitter-Strom | 30A |
| Verlustleistung | 270W |
| Gehäuse | TO268HV |
| Gate - Emitter Spannung | ±20V |
| Kollektorstrom im Impuls | 118A |
| Montage | SMD |
| Gate-Ladung | 44nC |
| Verpackungs-Art | Tube |
| Anschaltzeit | 59ns |
| Ausschaltzeit | 120ns |