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IGBT-Transistoren

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Transistor IGBT NPT 1,2kV 18A 250W TO247-3

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Code: TMEAPT15GT120BRDQ1G
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Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)

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Produkt beschreibung

Transistor IGBT NPT 1,2kV 18A 250W TO247-3 - Produkt beschreibung

HerstellerMICROCHIP (MICROSEMI)
Transistor-TypIGBT
TechnologieNPT
Kollektor-Emitter-Spannung1.2kV
Kollektor-Emitter-Strom18A
Verlustleistung250W
GehäuseTO247-3
Gate - Emitter Spannung±30V
Kollektorstrom im Impuls45A
MontageTHT
Gate-Ladung105nC
Verpackungs-ArtTube
Anschaltzeit21ns
Ausschaltzeit137ns
Eigenschaften von Halbleiterelementenintegrated anti-parallel diode