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GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Transistoren » IGBT-Transistoren
Transistor IGBT NPT 1,2kV 40A 500W T-Max
| Einheiten auf Lager i | 60 Menge |
|---|---|
| Strichcode: | |
| Code: | TMEAPT40GR120B2D30 |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 1 |
| Hersteller: | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Produkt beschreibung
Transistor IGBT NPT 1,2kV 40A 500W T-Max - Produkt beschreibung
| Hersteller | MICROCHIP (MICROSEMI) |
|---|---|
| Transistor-Typ | IGBT |
| Technologie | NPT |
| Technologie | POWER MOS 8® |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1.2kV |
| Kollektor-Emitter-Strom | 40A |
| Verlustleistung | 500W |
| Gehäuse | T-Max |
| Gate - Emitter Spannung | ±30V |
| Kollektorstrom im Impuls | 160A |
| Montage | THT |
| Gate-Ladung | 210nC |
| Verpackungs-Art | Tube |
| Anschaltzeit | 47ns |
| Ausschaltzeit | 232ns |
| Eigenschaften von Halbleiterelementen | integrated anti-parallel diode |