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IGBT-Transistoren

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Transistor IGBT NPT 1,7kV 11A 190W TO268

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Code: TMEIXGT16N170A
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Hersteller: IXYS

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Produkt beschreibung

Transistor IGBT NPT 1,7kV 11A 190W TO268 - Produkt beschreibung

HerstellerIXYS
Transistor-TypIGBT
TechnologieNPT
Kollektor-Emitter-Spannung1.7kV
Kollektor-Emitter-Strom11A
Verlustleistung190W
GehäuseTO268
Gate - Emitter Spannung±20V
Kollektorstrom im Impuls40A
MontageSMD
Gate-Ladung70nC
Verpackungs-ArtTube
Anschaltzeit35ns
Ausschaltzeit298ns
Eigenschaften von HalbleiterelementenHochspannung