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IGBT-Transistoren

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Transistor IGBT PT 600V 27A 250W TO247-3

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Code: TMEAPT15GP60BDQ1G
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Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)

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Produkt beschreibung

Transistor IGBT PT 600V 27A 250W TO247-3 - Produkt beschreibung

HerstellerMICROCHIP (MICROSEMI)
Transistor-TypIGBT
TechnologiePOWER MOS 7®
TechnologiePT
Kollektor-Emitter-Spannung600V
Kollektor-Emitter-Strom27A
Verlustleistung250W
GehäuseTO247-3
Gate - Emitter Spannung±20V
Kollektorstrom im Impuls65A
MontageTHT
Gate-Ladung55nC
Verpackungs-ArtTube
Anschaltzeit20ns
Ausschaltzeit160ns
Eigenschaften von Halbleiterelementenintegrated anti-parallel diode