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IGBT-Transistoren

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Transistor IGBT PT 600V 72A 625W T-Max

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Code: TMEAPT50GP60B2DQ2G
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Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)

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Produkt beschreibung

Transistor IGBT PT 600V 72A 625W T-Max - Produkt beschreibung

HerstellerMICROCHIP (MICROSEMI)
Transistor-TypIGBT
TechnologiePOWER MOS 7®
TechnologiePT
Kollektor-Emitter-Spannung600V
Kollektor-Emitter-Strom72A
Verlustleistung625W
GehäuseT-Max
Gate - Emitter Spannung±30V
Kollektorstrom im Impuls190A
MontageTHT
Gate-Ladung165nC
Verpackungs-ArtTube
Anschaltzeit55ns
Ausschaltzeit200ns
Eigenschaften von Halbleiterelementenintegrated anti-parallel diode