GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Transistoren » IGBT-Transistoren
| Verfügbarkeit | Nur auf Bestellung |
|---|---|
| Strichcode: | |
| Code: | TMEAPT50GP60B2DQ2G |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 1 |
| Hersteller: | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Transistor IGBT PT 600V 72A 625W T-Max - Produkt beschreibung
| Hersteller | MICROCHIP (MICROSEMI) |
|---|---|
| Transistor-Typ | IGBT |
| Technologie | POWER MOS 7® |
| Technologie | PT |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600V |
| Kollektor-Emitter-Strom | 72A |
| Verlustleistung | 625W |
| Gehäuse | T-Max |
| Gate - Emitter Spannung | ±30V |
| Kollektorstrom im Impuls | 190A |
| Montage | THT |
| Gate-Ladung | 165nC |
| Verpackungs-Art | Tube |
| Anschaltzeit | 55ns |
| Ausschaltzeit | 200ns |
| Eigenschaften von Halbleiterelementen | integrated anti-parallel diode |