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IGBT-Transistoren

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Transistor IGBT PT 600V 96A 833W T-Max

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Code: TMEAPT65GP60B2G
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Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)

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Produkt beschreibung

Transistor IGBT PT 600V 96A 833W T-Max - Produkt beschreibung

HerstellerMICROCHIP (MICROSEMI)
Transistor-TypIGBT
TechnologiePOWER MOS 7®
TechnologiePT
Kollektor-Emitter-Spannung600V
Kollektor-Emitter-Strom96A
Verlustleistung833W
GehäuseT-Max
Gate - Emitter Spannung±20V
Kollektorstrom im Impuls250A
MontageTHT
Gate-Ladung210nC
Verpackungs-ArtTube
Anschaltzeit84ns
Ausschaltzeit219ns