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IGBT-Transistoren

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Transistor IGBT XPT™ 2,5kV 12A 310W TO247-3

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Code: TMEIXYH12N250C
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Hersteller: IXYS

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Produkt beschreibung

Transistor IGBT XPT™ 2,5kV 12A 310W TO247-3 - Produkt beschreibung

HerstellerIXYS
Transistor-TypIGBT
TechnologieXPT™
Kollektor-Emitter-Spannung2.5kV
Kollektor-Emitter-Strom12A
Verlustleistung310W
GehäuseTO247-3
Gate - Emitter Spannung±20V
Kollektorstrom im Impuls48A
MontageTHT
Gate-Ladung56nC
Verpackungs-ArtTube
Anschaltzeit12ns
Ausschaltzeit167ns
Eigenschaften von HalbleiterelementenHochspannung