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GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Transistoren » Unipolartransistoren » Mit einem N-Typ-Kanal
Transistor N-MOSFET unipolar 100V 180A 370W TO220AB
| Einheiten auf Lager i | 253 Menge |
|---|---|
| Strichcode: | |
| Code: | TMEIRLB4030PBF |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 1 |
| Hersteller: | INFINEON (IRF) |
Produkt beschreibung
Transistor N-MOSFET unipolar 100V 180A 370W TO220AB - Produkt beschreibung
| Transistor-Typ | N-MOSFET |
|---|---|
| Technologie | HEXFET® |
| Polarisierung | unipolar |
| Drain-Source Spannung | 100V |
| Drainstrom | 180A |
| Leistung | 370W |
| Gehäuse | TO220AB |
| Gate-Source Spannung | ±16V |
| Widerstand im Leitungszustand | 4.3mΩ |
| Montage | THT |
| Gate-Ladung | 87nC |
| Verpackungs-Art | Tube |
| Eigenschaften von Halbleiterelementen | logic level |
| Hersteller | Infineon (IRF) |