Корзина

Корзина

Войти в интернет магазин

транзисторные модули MOSFET

транзисторные модули MOSFET

GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Дискретные полупроводниковые модули » транзисторные модули MOSFET


Модуль диод/транзистор 1кВ 110А SP6C Ugs ±30В Idm 580А

Verfügbarkeit Nur auf Bestellung
Штрихкод:
Код товара: TMEAPTM100UM65SAG
Упаковка:
Mindestabnahme: 4
Производитель: MICROCHIP (MICROSEMI)

€388 (Цена с НДС)
€320.6 Цена без НДС

Wählen Sie das Transport (Цена вкл. транспортировку)

Оптовые цены

Количество 4+ ks Более
Цена/шт. €320.63 Цена по запросу

Количество

Mindestabnahme: 4


Стоимость доставки

Описание товара

Модуль диод/транзистор 1кВ 110А SP6C Ugs ±30В Idm 580А - Описание товара

ПроизводительMICROCHIP (MICROSEMI)
Тип модуляполевой МОП-транзистор
Конструкция диодадиод/транзистор
Напряжение сток-исток1кВ
Ток стока110А
КорпусSP6C
Топологияодиночный транзистор + последовательный диод + параллельный диод
Электрический монтажвинтами
Электрический монтажконнекторы FASTON
Сопротивление в открытом состоянии78мОм
Ток стока в импульсном режиме580А
Рассеиваемая мощность3,25кВт
ТехнологияPOWER MOS 7®
Напряжение затвор-исток±30В
Механический монтажвинтами