Корзина

Корзина

Войти в интернет магазин

транзисторные модули MOSFET

транзисторные модули MOSFET

GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Дискретные полупроводниковые модули » транзисторные модули MOSFET


Модуль диод/транзистор 200В 225А SP6C Ugs ±30В Idm 1200А

Verfügbarkeit Nur auf Bestellung
Штрихкод:
Код товара: TMEAPTM20AM06SG
Упаковка:
Mindestabnahme: 5
Производитель: MICROCHIP (MICROSEMI)

€311.4 (Цена с НДС)
€257.4 Цена без НДС

Wählen Sie das Transport (Цена вкл. транспортировку)

Оптовые цены

Количество 5+ ks Более
Цена/шт. €257.38 Цена по запросу

Количество

Mindestabnahme: 5


Стоимость доставки

Описание товара

Модуль диод/транзистор 200В 225А SP6C Ugs ±30В Idm 1200А - Описание товара

ПроизводительMICROCHIP (MICROSEMI)
Тип модуляполевой МОП-транзистор
Конструкция диодадиод/транзистор
Напряжение сток-исток200В
Ток стока225А
КорпусSP6C
Топологияполумост MOSFET + последовательные диоды + параллельные диоды
Электрический монтажвинтами
Электрический монтажконнекторы FASTON
Сопротивление в открытом состоянии7,2мОм
Ток стока в импульсном режиме1200А
Рассеиваемая мощность1,25кВт
ТехнологияPOWER MOS 7®
Напряжение затвор-исток±30В
Механический монтажвинтами