Корзина

Корзина

Войти в интернет магазин

транзисторные модули MOSFET

транзисторные модули MOSFET

GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Дискретные полупроводниковые модули » транзисторные модули MOSFET


Модуль одиночный транзистор 800В 53А SOT227B Ugs ±30В 1040Вт

Verfügbarkeit Nur auf Bestellung
Штрихкод:
Код товара: TMEIXFN60N80P
Упаковка:
Mindestabnahme: 1
Производитель: IXYS

€54.4 (Цена с НДС)
€45 Цена без НДС

Wählen Sie das Transport (Цена вкл. транспортировку)

Оптовые цены

Количество 2+ ks 3+ ks Более
Цена/шт. €43.28 €42.78 Цена по запросу

Количество

Mindestabnahme: 1


Стоимость доставки

Описание товара

Модуль одиночный транзистор 800В 53А SOT227B Ugs ±30В 1040Вт - Описание товара

ПроизводительIXYS
Тип модуляполевой МОП-транзистор
Конструкция диодаодиночный транзистор
Напряжение сток-исток800В
Ток стока53А
КорпусSOT227B
Электрический монтажвинтами
Полярностьполевой
Сопротивление в открытом состоянии140мОм
Ток стока в импульсном режиме150А
Рассеиваемая мощность1040Вт
ТехнологияHiPerFET™
ТехнологияPolar™
Вид каналаобогащенный
Заряд затвора250нC
Время готовности250нс
Напряжение затвор-исток±30В
Механический монтажвинтами