Корзина

Корзина

Войти в интернет магазин

Модули IGBT

Модули IGBT

GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Дискретные полупроводниковые модули » Модули IGBT


Модуль IGBT диод/транзистор 1-фазный диодный мост,Н мост

Verfügbarkeit Nur auf Bestellung
Штрихкод:
Код товара: TMEAPTGT50H60RT3G
Упаковка:
Mindestabnahme: 14
Производитель: MICROCHIP (MICROSEMI)

€94.2 (Цена с НДС)
€77.8 Цена без НДС

Wählen Sie das Transport (Цена вкл. транспортировку)

Оптовые цены

Количество 14+ ks Более
Цена/шт. €77.85 Цена по запросу

Количество

Mindestabnahme: 14


Стоимость доставки

Описание товара

Модуль IGBT диод/транзистор 1-фазный диодный мост,Н мост - Описание товара

ПроизводительMICROCHIP (MICROSEMI)
Тип модуляIGBT
Конструкция диодадиод/транзистор
Топология1-фазный диодный мост
ТопологияН мост
Топологиятермистор NTC
Обратное напряжение макс.600В
Ток коллектора50А
КорпусSP3F
Применениефотоэлектрика
Электрический монтажPress-in PCB
Напряжение затвор - эмиттер±20В
Ток коллектора в импульсе100А
ТехнологияField Stop
ТехнологияTrench
Механический монтажвинтами