GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Дискретные полупроводниковые модули » Модули IGBT
| Verfügbarkeit | Nur auf Bestellung |
|---|---|
| Штрихкод: | |
| Код товара: | TMEAPTGT50H60RT3G |
| Упаковка: | |
| Mindestabnahme: | 14 |
| Производитель: | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Модуль IGBT диод/транзистор 1-фазный диодный мост,Н мост - Описание товара
| Производитель | MICROCHIP (MICROSEMI) |
|---|---|
| Тип модуля | IGBT |
| Конструкция диода | диод/транзистор |
| Топология | 1-фазный диодный мост |
| Топология | Н мост |
| Топология | термистор NTC |
| Обратное напряжение макс. | 600В |
| Ток коллектора | 50А |
| Корпус | SP3F |
| Применение | фотоэлектрика |
| Электрический монтаж | Press-in PCB |
| Напряжение затвор - эмиттер | ±20В |
| Ток коллектора в импульсе | 100А |
| Технология | Field Stop |
| Технология | Trench |
| Механический монтаж | винтами |