GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Транзисторы » IGBT Транзисторы
| Verfügbarkeit | Nur auf Bestellung |
|---|---|
| Штрихкод: | |
| Код товара: | TMEGD75HFY120C1S |
| Упаковка: | |
| Mindestabnahme: | 1 |
| Производитель: | STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD. |
Модуль IGBT транзистор/транзистор полумост IGBT Urmax 1200В - Описание товара
| Производитель | STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD. |
|---|---|
| Тип модуля | IGBT |
| Конструкция диода | транзистор/транзистор |
| Топология | полумост IGBT |
| Обратное напряжение макс. | 1200В |
| Ток коллектора | 75А |
| Корпус | C1 34mm |
| Электрический монтаж | винтами |
| Электрический монтаж | коннекторы FASTON |
| Напряжение затвор - эмиттер | ±20В |
| Ток коллектора в импульсе | 150А |
| Технология | Advanced Trench FS IGBT |
| Механический монтаж | винтами |