[ Расширенный поиск ]


Корзина

Корзина

Войти в интернет магазин

[ зарегистрироваться ]

Модули IGBT

Модули IGBT

GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Дискретные полупроводниковые модули » Модули IGBT

Модуль IGBT транзистор/транзистор полумост IGBT x3 Ic 30А

Verfügbarkeit Nur auf Bestellung
Штрихкод:
Код товара: TMEAPTGTQ50TA65T3G
Упаковка:
Mindestabnahme: 13
Производитель: MICROCHIP (MICROSEMI)

€104.5 (Цена с НДС)
€86.3 Цена без НДС

Wählen Sie das Transport (Цена вкл. транспортировку)

Оптовые цены

Количество 13+ ks Более
Цена/шт. €86.34 Цена по запросу

Количество

Mindestabnahme: 13


Стоимость доставки

Описание товара

Модуль IGBT транзистор/транзистор полумост IGBT x3 Ic 30А - Описание товара

ПроизводительMICROCHIP (MICROSEMI)
Тип модуляIGBT
Конструкция диодатранзистор/транзистор
Топологияполумост IGBT x3
Топологиятермистор NTC
Обратное напряжение макс.650В
Ток коллектора30А
КорпусSP3F
Применениедвигатели
Электрический монтажPress-in PCB
Напряжение затвор - эмиттер±20В
Ток коллектора в импульсе100А
ТехнологияField Stop
ТехнологияTrench
Механический монтажвинтами