- Батареи и аккумуляторы
- Источники питания
- Кабели и коннекторы
- Солнечная техника
- Редукции и конверторы
- Инструменты, инструменты
- Усилители GSM
- Техника безопасности
- Мобильные аксессуары
- Аксессуары для компьютеров
-
Электронные компоненты
- Резисторы
- Конденсаторы
- Индуктивности-Дроссели
- Компоненты для производства катушек
- Кристаллы, Осцилляторы, Резонаторы
- Частотные фильтры
- Колышки, колечки, глазки
- Предохранители, защита от перенапряжений
- Трансформаторы
- Диоды, Выпрямительные мосты
- Транзисторы
- Тиристоры, Триаки, Диаки
- Интегральные схемы
- Датчики неэлектрических величин
- Оптронные компоненты
- Дисплеи, сенсорные экраны
- Акустические преобразователи, Динамики
- Вентиляторы
- Охладители, элементы Пельтье
- Двигатели, Сервомеханизмы
- Реле, контакторы и магнитные контакты
- Mechanicheskije spínajushtshije ėlementy
- Разъемы, переходники
- клеммная колодка
- Провода и кабели
- Мех. конструкционные компоненты
- Конструкционные коробки и ящики
- Целевые конструкционные модули
- Программаторы, Стерители EPROM
- Дискретные полупроводниковые модули
- Аксессуары для полупроводников
- Генераторы высокого напряжения
- Охлаждающие и отопительные системы
- Краб. для попл. оборуд. и датчиков.
- Энкодеры
- Компоненты EMI/EMC
- Одноплатные компьютеры
- Аксессуары для встраиваемой техники.
- Электромонтажный материал
- Горнодобывающая промышленность
- Химия DPS
- Игрушки, конструкторы
- Измерительные приборы
- Осветительная техника
- Дом, Офис
- Защитные средства
- Механические элементы
- Автоматизационная техника
- Робототехника
- Остальные
- Распродажа
Корзина
Войти в интернет магазин
GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Дискретные полупроводниковые модули » Модули IGBT
Модуль IGBT транзистор/транзистор Н мост Urmax 1,2кВ Ic 200А
| Verfügbarkeit | Nur auf Bestellung |
|---|---|
| Штрихкод: | |
| Код товара: | TMEAPTGT200H120G |
| Упаковка: | |
| Mindestabnahme: | 4 |
| Производитель: | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Описание товара
Модуль IGBT транзистор/транзистор Н мост Urmax 1,2кВ Ic 200А - Описание товара
| Производитель | MICROCHIP (MICROSEMI) |
|---|---|
| Тип модуля | IGBT |
| Конструкция диода | транзистор/транзистор |
| Топология | Н мост |
| Обратное напряжение макс. | 1,2кВ |
| Ток коллектора | 200А |
| Корпус | SP6C |
| Применение | двигатели |
| Электрический монтаж | винтами |
| Электрический монтаж | коннекторы FASTON |
| Напряжение затвор - эмиттер | ±20В |
| Ток коллектора в импульсе | 400А |
| Технология | Field Stop |
| Технология | Trench |
| Механический монтаж | винтами |