Корзина

Корзина

Войти в интернет магазин

транзисторные модули MOSFET

транзисторные модули MOSFET

GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Дискретные полупроводниковые модули » транзисторные модули MOSFET


Модуль одиночный транзистор 150В 310А SOT227B Ugs ±30В 715нC

Verfügbarkeit Nur auf Bestellung
Штрихкод:
Код товара: TMEIXFN360N15T2
Упаковка:
Mindestabnahme: 300
Производитель: IXYS

€55.9 (Цена с НДС)
€46.2 Цена без НДС

Wählen Sie das Transport (Цена вкл. транспортировку)

Оптовые цены

Количество 300+ ks Более
Цена/шт. €46.21 Цена по запросу

Количество

Mindestabnahme: 300


Стоимость доставки

Описание товара

Модуль одиночный транзистор 150В 310А SOT227B Ugs ±30В 715нC - Описание товара

ПроизводительIXYS
Тип модуляполевой МОП-транзистор
Конструкция диодаодиночный транзистор
Напряжение сток-исток150В
Ток стока310А
КорпусSOT227B
Электрический монтажвинтами
Полярностьполевой
Сопротивление в открытом состоянии4мОм
Ток стока в импульсном режиме900А
Рассеиваемая мощность1070Вт
ТехнологияGigaMOS™
ТехнологияHiPerFET™
ТехнологияTrenchT2™
Вид каналаобогащенный
Заряд затвора715нC
Время готовности150нс
Напряжение затвор-исток±30В
Механический монтажвинтами