Корзина

Корзина

Войти в интернет магазин

транзисторные модули MOSFET

транзисторные модули MOSFET

GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Дискретные полупроводниковые модули » транзисторные модули MOSFET


Модуль одиночный транзистор 600В 66А SOT227B Ugs ±40В 960Вт

Verfügbarkeit Nur auf Bestellung
Штрихкод:
Код товара: TMEIXFN80N60P3
Упаковка:
Mindestabnahme: 1
Производитель: IXYS

€32.5 (Цена с НДС)
€26.9 Цена без НДС

Wählen Sie das Transport (Цена вкл. транспортировку)

Оптовые цены

Количество 2+ ks 100+ ks Более
Цена/шт. €25.46 €24.81 Цена по запросу

Количество

Mindestabnahme: 1


Стоимость доставки

Описание товара

Модуль одиночный транзистор 600В 66А SOT227B Ugs ±40В 960Вт - Описание товара

ПроизводительIXYS
Тип модуляполевой МОП-транзистор
Конструкция диодаодиночный транзистор
Напряжение сток-исток600В
Ток стока66А
КорпусSOT227B
Электрический монтажвинтами
Полярностьполевой
Сопротивление в открытом состоянии77мОм
Ток стока в импульсном режиме200А
Рассеиваемая мощность960Вт
ТехнологияHiPerFET™
ТехнологияPolar3™
Вид каналаобогащенный
Заряд затвора190нC
Время готовности250нс
Напряжение затвор-исток±40В
Механический монтажвинтами