Корзина

Корзина

Войти в интернет магазин

транзисторные модули MOSFET

транзисторные модули MOSFET

GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Дискретные полупроводниковые модули » транзисторные модули MOSFET


Модуль транзистор/транзистор 200В 131А SP6C Топология Н мост

Verfügbarkeit Nur auf Bestellung
Штрихкод:
Код товара: TMEAPTM20HM10FG
Упаковка:
Mindestabnahme: 5
Производитель: MICROCHIP (MICROSEMI)

€321.1 (Цена с НДС)
€265.3 Цена без НДС

Wählen Sie das Transport (Цена вкл. транспортировку)

Оптовые цены

Количество 5+ ks Более
Цена/шт. €265.34 Цена по запросу

Количество

Mindestabnahme: 5


Стоимость доставки

Описание товара

Модуль транзистор/транзистор 200В 131А SP6C Топология Н мост - Описание товара

ПроизводительMICROCHIP (MICROSEMI)
Тип модуляполевой МОП-транзистор
Конструкция диодатранзистор/транзистор
Напряжение сток-исток200В
Ток стока131А
КорпусSP6C
ТопологияН мост
Электрический монтажвинтами
Электрический монтажконнекторы FASTON
Сопротивление в открытом состоянии12мОм
Ток стока в импульсном режиме700А
Рассеиваемая мощность694Вт
ТехнологияFREDFET
ТехнологияPOWER MOS 7®
Напряжение затвор-исток±30В
Механический монтажвинтами