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IC DRAM Speicher 16Mx16bit 3÷3,6V 166MHz 6ns TFBGA54

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Code: TMEAS4C16M16SA-6BIN
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Hersteller: ALLIANCE MEMORY

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IC DRAM Speicher 16Mx16bit 3÷3,6V 166MHz 6ns TFBGA54 - Produkt beschreibung

HerstellerALLIANCE MEMORY
Integrierten Schaltkreises-TypDRAM Speicher
Speicher-ArtSDRAM
Speicherorganisation16Mx16bit
Taktfrequenz166MHz
Zugriffszeit6ns
GehäuseTFBGA54
Speicherkapazität256Mb
MontageSMD
Betriebstemperatur-40...85°C
Schnittstelenartparallel
Betriebsspannung3...3.6V