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Bipolarer PNP-Transistor BD912
Ic = 15 A, Pd = 90 W, Gehäuse TO220 Parameter: Ic = 15 A Uce0 = 100 V, Ucb0 = 100 V, Pd = 90 W, h21E = 5..250, fT = 3 MHz, Gehäuse = TO220
| Einheiten auf Lager i | 1614 Menge |
|---|---|
| Strichcode: | |
| Code: | GM211-125 |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 1 |
Produkt beschreibung
Bipolarer PNP-Transistor BD912 - Produkt beschreibung