GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Integrierte Schaltkreise » Analoge und kombinierte Schaltkreise » MOSFET/IGBT-Treiber
| Einheiten auf Lager i | 9 Menge |
|---|---|
| Strichcode: | |
| Code: | TMEIR2233JPBF |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 1 |
| Hersteller: | INFINEON (IRF) |
Driver high-/low-side,Steuerung für Gates -420÷200mA 2W - Produkt beschreibung
| Hersteller | Infineon (IRF) |
|---|---|
| Integrierten Schaltkreises-Typ | driver |
| Eigenschafte integrierter Schaltkreise | integrated bootstrap functionality |
| Eigenschafte integrierter Schaltkreise | Ladungspumpe |
| Eigenschafte integrierter Schaltkreise | Totzeit |
| Integrierten Schaltkreises-Art | high-/low-side |
| Integrierten Schaltkreises-Art | Steuerung für Gates |
| Ausgangsstrom | -420...200mA |
| Leistung | 2W |
| Anzahl Kanäle | 6 |
| Montage | SMD |
| Versorgungsspannung | 10...20V DC |
| Betriebstemperatur | -40...125°C |
| Gehäuse | PLCC44 |
| Topologie | 3-phasen Brücke IGBT |
| Topologie | 3-phasen Brücke MOSFET |
| Verpackungs-Art | Tube |
| Spannungsklasse | 1.2kV |
| Anschaltzeit | 750ns |
| Ausschaltzeit | 700ns |