GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Integrierte Schaltkreise » Analoge und kombinierte Schaltkreise » MOSFET/IGBT-Treiber
| Einheiten auf Lager i | 56 Menge |
|---|---|
| Strichcode: | |
| Code: | TMEIR2106SPBF |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 1 |
| Hersteller: | INFINEON (IRF) |
Driver high-/low-side,Steuerung für Gates -350÷200mA 625mW - Produkt beschreibung
| Hersteller | Infineon (IRF) |
|---|---|
| Integrierten Schaltkreises-Typ | driver |
| Integrierten Schaltkreises-Art | high-/low-side |
| Integrierten Schaltkreises-Art | Steuerung für Gates |
| Ausgangsstrom | -350...200mA |
| Leistung | 625mW |
| Anzahl Kanäle | 2 |
| Montage | SMD |
| Versorgungsspannung | 10...20V DC |
| Betriebstemperatur | -40...125°C |
| Gehäuse | SO8 |
| Topologie | MOSFET Halbbrücke |
| Verpackungs-Art | Tube |
| Spannungsklasse | 600V |
| Anschaltzeit | 220ns |
| Ausschaltzeit | 200ns |