Inhalt Warenkorb

Inhalt Warenkorb

Einloggen in Shop

MOSFET-Transistormodule

MOSFET-Transistormodule

GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule


Modul einzelner Transistor -100V -170A SOT227B Ugs ±30V 890W

Verfügbarkeit Nur auf Bestellung
Strichcode:
Code: TMEIXTN170P10P
Packen:
Mindestabnahme: 300
Hersteller: IXYS

€39.52 (Preis inkl. gesetzl. MwSt.)
€32.66 Preis ohne Mehrwertsteuer

Wählen Sie das Transport (Preis inkl. transportieren)

Staffelpreise

Menge 300+ ks Mehr
Einzelpreis €32.66 Fragen Sie nach Preis

Menge

Mindestabnahme: 300


Versandkosten

Produkt beschreibung

Modul einzelner Transistor -100V -170A SOT227B Ugs ±30V 890W - Produkt beschreibung

HerstellerIXYS
Modul-TypBipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiterseinzelner Transistor
Drain-Source Spannung-100V
Drainstrom-170A
GehäuseSOT227B
Elektrische Montageschraubbar
Polarisierungunipolar
Widerstand im Leitungszustand14mΩ
Drainstrom im Impuls-510A
Verlustleistung890W
TechnologiePolarP™
Kanal-Artstark
Gate-Ladung240nC
Bereitschaftszeit176ns
Gate-Source Spannung±30V
Mechanische Montageschraubbar