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MOSFET-Transistormodule

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Modul einzelner Transistor -100V -210A SOT227B Ugs ±15V 830W

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Code: TMEIXTN210P10T
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Hersteller: IXYS

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Modul einzelner Transistor -100V -210A SOT227B Ugs ±15V 830W - Produkt beschreibung

HerstellerIXYS
Modul-TypBipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiterseinzelner Transistor
Drain-Source Spannung-100V
Drainstrom-210A
GehäuseSOT227B
Elektrische Montageschraubbar
Polarisierungunipolar
Widerstand im Leitungszustand7.5mΩ
Drainstrom im Impuls-800A
Verlustleistung830W
TechnologieTrenchP™
Kanal-Artstark
Gate-Ladung740nC
Bereitschaftszeit200ns
Gate-Source Spannung±15V
Mechanische Montageschraubbar