GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule
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| Code: | TMEAPTMC120TAM17CTPAG |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 1 |
| Verfügbarkeit | Nur auf Bestellung |
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| Hersteller: | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Modul SiC-Diode/Transistor 1,2kV 110A SP6P Press-in PCB 625W - Produkt beschreibung
Hersteller MICROCHIP (MICROSEMI) Modul-Typ Bipolartransistor, MOSFET Struktur des Halbleiters SiC-Diode/Transistor Drain-Source Spannung 1.2kV Drainstrom 110A Gehäuse SP6P Topologie MOSFET x3 Halbbrücke Topologie NTC Thermistor Elektrische Montage Press-in PCB Widerstand im Leitungszustand 17mΩ Drainstrom im Impuls 300A Verlustleistung 625W Technologie SiC Mechanische Montage schraubbar