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MOSFET-Transistormodule

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Modul SiC-Diode/Transistor 1,2kV 110A SP6P Press-in PCB 625W

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Code: TMEAPTMC120TAM17CTPAG
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Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)

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Modul SiC-Diode/Transistor 1,2kV 110A SP6P Press-in PCB 625W - Produkt beschreibung

HerstellerMICROCHIP (MICROSEMI)
Modul-TypBipolartransistor, MOSFET
Struktur des HalbleitersSiC-Diode/Transistor
Drain-Source Spannung1.2kV
Drainstrom110A
GehäuseSP6P
TopologieMOSFET x3 Halbbrücke
TopologieNTC Thermistor
Elektrische MontagePress-in PCB
Widerstand im Leitungszustand17mΩ
Drainstrom im Impuls300A
Verlustleistung625W
TechnologieSiC
Mechanische Montageschraubbar