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MOSFET-Transistormodule

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Modul SiC-Diode/Transistor 1,2kV 200A SP6P Press-in PCB SiC

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Code: TMEMSCSM120TAM11CTPAG
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Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)

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Modul SiC-Diode/Transistor 1,2kV 200A SP6P Press-in PCB SiC - Produkt beschreibung

HerstellerMICROCHIP (MICROSEMI)
Modul-TypBipolartransistor, MOSFET
Struktur des HalbleitersSiC-Diode/Transistor
Drain-Source Spannung1.2kV
Drainstrom200A
GehäuseSP6P
TopologieHalbbrücke MOSFET x3 + Paralleldioden
TopologieNTC Thermistor
Elektrische MontagePress-in PCB
Widerstand im Leitungszustand10.4mΩ
Drainstrom im Impuls500A
Verlustleistung1042W
TechnologieSiC
Mechanische Montageschraubbar