GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule
| Verfügbarkeit | Verkauf abgeschlossen |
|---|---|
| Strichcode: | |
| Code: | TMEAPTMC60TLM55CT3AG |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 2 |
| Hersteller: | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Modul SiC-Diode/Transistor 1,2kV 38A SP3F Press-in PCB 263W - Produkt beschreibung
| Hersteller | MICROCHIP (MICROSEMI) |
|---|---|
| Modul-Typ | Bipolartransistor, MOSFET |
| Struktur des Halbleiters | SiC-Diode/Transistor |
| Drain-Source Spannung | 1.2kV |
| Drainstrom | 38A |
| Gehäuse | SP3F |
| Topologie | 3-Level 1-Phasen Wechselrichter |
| Topologie | NTC Thermistor |
| Elektrische Montage | Press-in PCB |
| Widerstand im Leitungszustand | 52mΩ |
| Drainstrom im Impuls | 100A |
| Verlustleistung | 263W |
| Technologie | SiC |
| Mechanische Montage | schraubbar |