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GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule
Modul SiC-Diode/Transistor 1,2kV 38A SP3F Press-in PCB 263W
| Strichcode: | |
| Code: | TMEAPTMC60TLM55CT3AG |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 2 |
| Verfügbarkeit | Nur auf Bestellung |
|---|---|
| Hersteller: | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Modul SiC-Diode/Transistor 1,2kV 38A SP3F Press-in PCB 263W - Produkt beschreibung
Hersteller MICROCHIP (MICROSEMI) Modul-Typ Bipolartransistor, MOSFET Struktur des Halbleiters SiC-Diode/Transistor Drain-Source Spannung 1.2kV Drainstrom 38A Gehäuse SP3F Topologie 3-Level 1-Phasen Wechselrichter Topologie NTC Thermistor Elektrische Montage Press-in PCB Widerstand im Leitungszustand 52mΩ Drainstrom im Impuls 100A Verlustleistung 263W Technologie SiC Mechanische Montage schraubbar