GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule
| Strichcode: | |
| Code: | TMEMSCSM120AM027CT6AG |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 1 |
| Verfügbarkeit | Nur auf Bestellung |
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| Hersteller: | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Modul SiC-Diode/Transistor 1,2kV 584A SP6C Idm 1400A 2,97kW - Produkt beschreibung
Hersteller MICROCHIP (MICROSEMI) Modul-Typ Bipolartransistor, MOSFET Struktur des Halbleiters SiC-Diode/Transistor Drain-Source Spannung 1.2kV Drainstrom 584A Gehäuse SP6C Topologie Halbbrücke MOSFET + Paralleldioden Topologie NTC Thermistor Elektrische Montage schraubbar Elektrische Montage Steckverbinder FASTON Widerstand im Leitungszustand 3.5mΩ Drainstrom im Impuls 1400A Verlustleistung 2.97kW Technologie SiC Mechanische Montage schraubbar