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MOSFET-Transistormodule

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Modul SiC-Diode/Transistor 1,2kV 584A SP6C Idm 1400A 2,97kW

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Code: TMEMSCSM120AM027CT6AG
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Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)

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Modul SiC-Diode/Transistor 1,2kV 584A SP6C Idm 1400A 2,97kW - Produkt beschreibung

HerstellerMICROCHIP (MICROSEMI)
Modul-TypBipolartransistor, MOSFET
Struktur des HalbleitersSiC-Diode/Transistor
Drain-Source Spannung1.2kV
Drainstrom584A
GehäuseSP6C
TopologieHalbbrücke MOSFET + Paralleldioden
TopologieNTC Thermistor
Elektrische Montageschraubbar
Elektrische MontageSteckverbinder FASTON
Widerstand im Leitungszustand3.5mΩ
Drainstrom im Impuls1400A
Verlustleistung2.97kW
TechnologieSiC
Mechanische Montageschraubbar