GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule
| Verfügbarkeit | Nur auf Bestellung |
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| Strichcode: | |
| Code: | TMEMSCSM120AM027CT6AG |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 1 |
| Hersteller: | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Modul SiC-Diode/Transistor 1,2kV 584A SP6C Idm 1400A 2,97kW - Produkt beschreibung
| Hersteller | MICROCHIP (MICROSEMI) |
|---|---|
| Modul-Typ | Bipolartransistor, MOSFET |
| Struktur des Halbleiters | SiC-Diode/Transistor |
| Drain-Source Spannung | 1.2kV |
| Drainstrom | 584A |
| Gehäuse | SP6C |
| Topologie | Halbbrücke MOSFET + Paralleldioden |
| Topologie | NTC Thermistor |
| Elektrische Montage | schraubbar |
| Elektrische Montage | Steckverbinder FASTON |
| Widerstand im Leitungszustand | 3.5mΩ |
| Drainstrom im Impuls | 1400A |
| Verlustleistung | 2.97kW |
| Technologie | SiC |
| Mechanische Montage | schraubbar |