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MOSFET-Transistormodule

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Modul SiC-Diode/Transistor 1kV 14A SP4 Ugs ±30V Idm 72A 357W

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Code: TMEAPTM100H45SCTG
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Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)

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Modul SiC-Diode/Transistor 1kV 14A SP4 Ugs ±30V Idm 72A 357W - Produkt beschreibung

HerstellerMICROCHIP (MICROSEMI)
Modul-TypBipolartransistor, MOSFET
Struktur des HalbleitersSiC-Diode/Transistor
Drain-Source Spannung1kV
Drainstrom14A
GehäuseSP4
TopologieH-Brücke + Paralleldioden
TopologieNTC Thermistor
Elektrische Montageschraubbar
Elektrische MontageSteckverbinder FASTON
Widerstand im Leitungszustand540mΩ
Drainstrom im Impuls72A
Verlustleistung357W
TechnologiePOWER MOS 7®
TechnologieSiC
Gate-Source Spannung±30V
Mechanische Montageschraubbar